↑ Вверх ↓ Вниз

Для фотоэффекта с ростом параметра z (заряд ядра) вероятность потери энергии γ-квантами пропорциональна (ответ на вопрос)

ДЛЯ ФОТОЭФФЕКТА С РОСТОМ ПАРАМЕТРА Z (ЗАРЯД ЯДРА) ВЕРОЯТНОСТЬ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ γ-КВАНТАМИ ПРОПОРЦИОНАЛЬНА
1) Z3
2) Z5 (+)
3) Z
4) Z2

Фотоэффект представляет собой полное поглощение γ-кванта атомом с выбиванием электрона, преимущественно с K- или L-оболочки. Энергия фотона расходуется на преодоление энергии связи и сообщение кинетической энергии фотоэлектрону; последующая перестройка электронной оболочки сопровождается характеристическим рентгеновским излучением и/или эмиссией оже-электронов. При фиксированной энергии фотона сечение фотоэлектрического поглощения в учебном приближении резко возрастает с увеличением атомного номера и описывается зависимостью порядка Z5, поэтому отмеченный вариант является правильным.

Столь сильная зависимость обусловлена увеличением кулоновского поля ядра и вероятности взаимодействия фотона с электронами внутренних оболочек. Для веществ с большим Z фотоэффект значительно вероятнее, чем для легких элементов, что используется при создании рентгеноконтрастных веществ и в материалах детекторов излучения. Точная степень зависимости не является универсальной: она меняется с энергией фотона, особенно вблизи краёв поглощения, однако в принятой для медицинской физики аппроксимации используется показатель Z5.

Фотоэффект наиболее характерен для сравнительно низких энергий и резко конкурирует с комптоновским рассеянием при их повышении. В отличие от комптоновского взаимодействия, при фотоэффекте исходный фотон исчезает, а его энергия полностью передаётся веществу, что увеличивает локальное энерговыделение и контраст между материалами с различным атомным номером.

Вид взаимодействия или признакЗависимость от ZОсновной механизмПрактическое значение
Фотоэлектрическое поглощениеПриблизительно Z4–5; в учебной модели Z5Полное поглощение фотона и выбивание электрона внутренней оболочкиВысокий контраст в рентгенодиагностике, выраженное поглощение материалами с большим Z
Комптоновское рассеяниеДля отдельного атома примерно пропорционально Z; на единицу массы зависимость слабаяНеупругое рассеяние фотона на связанном или почти свободном электронеПреобладает в среднем энергетическом диапазоне и формирует рассеянное излучение
Рождение электрон-позитронной парыПриблизительно Z2Преобразование фотона в электрон и позитрон в поле ядра или электронаВозможно при энергии фотона выше 1,022 МэВ; существенно для высокоэнергетической радиотерапии
Когерентное, или рэлеевское, рассеяниеПриблизительно Z2Упругое изменение направления фотона без ионизации атомаИмеет значение преимущественно при низких энергиях и не сопровождается значимым энерговыделением
Край поглощенияПоложение K-края увеличивается с ростом ZПороговая возможность выбивания электрона с определённой внутренней оболочкиВызывает скачкообразное изменение коэффициента поглощения и используется при выборе энергии излучения
Материал с большим атомным номеромПовышенная вероятность фотоэффектаБолее сильное кулоновское поле и большая вероятность взаимодействия с внутренними электронамиПрименение в свинцовой защите, вольфрамовых мишенях и рентгеноконтрастных препаратах

Таким образом, показатель Z5 отражает высокую чувствительность фотоэлектрического поглощения к атомному номеру вещества. В реальных расчётах дополнительно учитывают энергию фотона, плотность материала и наличие краёв поглощения. Именно поэтому изменение спектра излучения может заметно менять вклад фотоэффекта даже при неизменном составе объекта. Для количественной оценки используют коэффициенты ослабления и сечения взаимодействия, а не только степенную зависимость.

Поделитесь с коллегами ссылкой на наш сайт